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速率理論是從動力學(xué)觀點出發(fā),根據(jù)基本的實驗事實研究各種操作條件(載氣的性質(zhì)及流速、固定液的液膜厚度、載體顆粒的直徑、色譜柱填充的均勻程度等)對理論塔板高度的影響,從而解釋在色譜柱中色譜峰形擴張的原因。其可用范第姆特(Van Deemter)方程式表示。
范第姆特等人認為使色譜峰擴張的原因是受渦流擴散、分子擴散、氣液兩相的傳質(zhì)阻力的影響,因而導(dǎo)出速率方程式或稱范氏方程:
式中λ—固定相填充不均勻因子;
dp—載體的平均顆粒直徑,Gm;
γ—載體顆粒大小不同而引起的氣體擴散路徑彎曲因子,簡稱彎曲因子;
Dg—組分在氣相中的擴散系數(shù),cm2/s;
k—分配比;
df—固定液在載體上的液膜厚度,cm;
Dl—組分在液相中的擴散系數(shù),cm2/s;
u—載氣在柱中的平均線速度,cm/s。
范氏方程可簡化為下式:
式中,A為渦流擴散項;
為分子擴散項;Cu為傳質(zhì)阻力項。
范氏方程的討論如下
一、渦流擴散項(A)
A=2λdp (8-17)
渦流擴散項也稱多流路效應(yīng)項。它與填充物的平均顆粒直徑dp有關(guān),也與填充不均勻因子λ有關(guān),即填充愈均勻、顆粒愈小,則塔板高度愈小、柱效愈高。
渦流擴散的方向垂直于載氣流動方向,所以也稱徑向擴散或多路效應(yīng)。它與載氣的性質(zhì)、線速度、組分的性質(zhì)、固定液用量無關(guān)。但是當填充物顆粒大小不一,且顆粒粗大,填充又不均勻,則會造成色譜峰形擴展,如圖1。
圖1渦流擴散引起峰形擴展示意圖
圖中三個起點相同的組分,由于在柱中通過的路徑長短不一,結(jié)果三個質(zhì)點不同時流出色譜柱,造成了色譜峰的擴展。
二、分子擴散項(B/u)
B=2γDg (8-18)
B稱分子擴散系數(shù),它與組分在氣相中的擴散系數(shù)Dg,填充柱的彎曲因子γ有關(guān)。對于空心柱γ=1,對于填充柱,由于顆粒使擴散路徑彎曲,所以γ<1,常用硅藻土載體γ=0.5~0.7。
分子擴散也叫縱向擴散,這是基于載氣攜帶樣品進入色譜柱后,樣品組分形成濃差梯度,因此產(chǎn)生濃差擴散,由于沿軸向擴散,故稱縱向擴散(圖2)。
圖2分子擴散引起峰形擴展示意圖
分子擴散與組分在氣相中停留的時間成正比,滯留時間越長,分子擴散也越大,所以加快載氣流速u可以減少由于分子擴散而產(chǎn)生的色譜峰形擴展。
氣相擴散系數(shù)Dg隨載氣和組分的性質(zhì)、溫度、壓力而變化,Dg通常為0.01~1cm2/s,組分在氣相中的擴散系數(shù)Dg較D1大104~105倍,所以組分在液相中的擴散可以忽略不計。擴散系數(shù)Dg近似地與載氣分子量的平方根成反比,所以使用分子量大的載氣可以減小分子擴散。
三、傳質(zhì)阻力項(Cu)
C=Cg+C1 (8-19)
式中,Cg為氣相傳質(zhì)阻力系數(shù);C1為液相傳質(zhì)阻力系數(shù)。傳質(zhì)阻力引起的峰形擴展見圖3。
1.氣相傳質(zhì)阻力系數(shù)(Cg)
圖3傳質(zhì)阻力引起峰形擴展示意圖
氣相傳質(zhì)阻力就是組分分子從氣相到兩相界面進行交換時的傳質(zhì)阻力,這個阻力會使柱子的橫斷面上的濃度分配不均勻。這個阻力越大,所需時間越長,濃度分配就越不均勻,峰形擴展就越嚴重。
氣相傳質(zhì)阻力系數(shù)Cg與dp成正比,故采用小顆粒的填充物,可使Cg減小,有利于提高柱效。Cg與Dg成反比,組分在氣相中的擴散系數(shù)越大,氣相傳質(zhì)阻力越小,故采用Dg較大的H2或He作載氣,可減小傳質(zhì)阻力,提高柱效。但載氣線速增大,可使氣相傳質(zhì)阻力增大,柱效降低。
2.液相傳質(zhì)阻力系數(shù)(C1)
液相傳質(zhì)阻力是指組分從氣液界面到液相內(nèi)部,并發(fā)生質(zhì)量交換,達到分配平衡,然后又返回氣液界面的傳質(zhì)過程。這個過程是需要時間的,在流動狀態(tài)下,因為氣液之間的平衡不能瞬時完成,使傳質(zhì)速度受到一定限制,同時組分進入液相后又要從液相洗脫出來,也需要時間,與此同時,組分又隨著載氣不斷向柱口方向運動,氣、液兩相中的組分距離越遠,色譜峰形擴展就越嚴重。載氣流速越快越不利于傳質(zhì),所以減小載氣流速可以降低傳質(zhì)阻力,提高柱效。
液相傳質(zhì)阻力系數(shù)C1與液膜厚度d2f成正比,與組分在液相中的擴散系數(shù)D1成反比,所以固定液薄有利于液相傳質(zhì),不使色譜峰形擴展。但固定液過薄,將會減少樣品的容量,降低柱的壽命。組分在液相中的擴散系數(shù)D1越大,越有利于傳質(zhì),但柱溫對D1影響較大,柱溫增加,D1增大而k值變小,即提高柱溫有利于傳質(zhì),減少峰形擴展;降低柱溫,有利于分配,即有利于組分分離(k值增大)。所以要選擇適宜的溫度來滿足具體樣品的要求。
范氏方程的完整表達式如式(8-15)所示。
從范氏方程的討論中,說明了H越小柱效率越高,改善柱效率的因素有如下幾點:
①選擇顆粒較小的均勻填料;
?、谠诓皇构潭ㄒ吼ざ仍黾犹嗟那疤嵯?,應(yīng)在低柱溫下操作;
③用低實際濃度的固定液;
?、苡幂^大摩爾質(zhì)量的載氣;
?、葸x擇*載氣流速。
范氏方程簡化式如式(8-16)所示。當將H對u作圖(圖4),可給出一條曲線,其有一低點,此點對應(yīng)載氣的*線速uopt,在*線速下對應(yīng)色譜柱的低理論塔板高度Hmin,即在此*線速下操作可獲得高柱效。
圖4 H-u曲線圖
依據(jù)范第姆特方程式可計算uopt和Hmin
由圖8-46可看出:
當u<uopt時,分子擴散項對板高H起主要作用,即載氣線速愈小,板高H增加愈快,柱效愈低。
當u>uopt時,傳質(zhì)阻力項Cu對板高H起主要作用,即載氣線速增大,板高H也增大,柱效降低,但其變化較緩慢。
當u=uopt 時,分子擴散項和傳質(zhì)阻力項對板高H 的影響低,此時柱效高。但此時的分析速度較慢。在實際分析時,可在實用線速uopGV下操作,此時板高H約比Hmin增大10%,雖然損失了柱效,但加快了分析速度。
顯然在上述3種情況下,渦流擴散項A總是對板高H起作用。